

Ელექტრო სპეციფიკაციები |
||
Სამუშაო სიხშირის დიაპაზონი (MHz) |
2×(3400~3600) |
|
Პოლარიზაცია (°) |
±45° |
|
Ვოლტის სტანდინგური ტალღის შეფარდება (VSWR) თითოეული გამ radiation პორტისთვის |
≤1.4 |
|
Მესამე რიგის ინტერმოდულაცია (dBm, @2×37 dBm) |
/ |
|
Საშუალო სიმძლავრის დატვირთვის მაჩვენებელი (W) |
150 |
|
Იზოლაცია (dB) |
≥25 |
|
Ჰორიზონტალური ნახევარი სიმძლავრის სხივის სიგანე (°) |
35±10 |
|
Ვერტიკალური ნახევარ-სიმძლავრის სხივის სიგანე (°) |
35±10 |
|
Სიმძლავრე (dBi) |
13-15 |
|
Გადაკვეთის პოლარიზაციის შეფარდება (dB, ღერძული) |
≥15 |
|
Შებრუნებული პოლარიზაციის შეფარდება (dB, ±15°-ის შიგნით) |
≥10 |
|
Წინა-უკანა თანაფარდობა (dB) |
≥23 |
|
Იმპედანსი (Ω) |
50 |
|
Მექანიკური სპეციფიკაციები |
||
Ინტერფეისის მოდელი |
4×N-იგელი |
|
Ანტენის გამოზომები (მმ) |
360×340×125 |
|
Შეფუთვის გამოზომები (მმ) |
460×440×230 |
|
Ანტენის წონა (კგ) |
1.9 |
|
Რადომის მასალა |
Ამინჯვარეზისტენტული PP (პოლიპროპილენი) |
|
Მაქსიმალური ქარის სიჩქარე (კმ/სთ) |
200 |
|
Გარემოს ტემპერატურა (°C) |
Სამუშაო ტემპერატურა: -40~+70; ექსტრემალური ტემპერატურა: -55~+75 |
|
Დაცვის დონე |
Არ უნდა იყოს დაბალი IP55 მოთხოვნებზე |
|
Მონტაჟის მეთოდი |
Მიმაგრება მილეკით |
|
Მორგებადი აზიმუტური კუთხე |
Პიტჩის კუთხის მექანიკური მორგება, ერთი სექტორი ±45° |
|
Შარგის დაცვა |
DC გადამისამართება |
|





