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नहर |
CH1 |
CH2 |
CH3 |
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आवृत्ति रेंज (MHz) |
1730 - 1880 |
1920 - 2170 |
3300 - 3700 |
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इनसर्शन लॉस (dB) |
≤0.6 |
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बैंड के भीतर रिपल (dB) |
≤0.5 |
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पोर्ट आइसोलेशन (dB) |
≥80 |
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VSWR |
≤1.3 |
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अवरोध (Ω) |
50 |
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तृतीय-क्रम इंटरमॉड्यूलेशन (dBc) |
≤ - 145@43dBm×2 |
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पंचम-क्रम अंतःमोड्यूलन (dBc) |
≤ - 160@43dBm×2 |
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इंटरफेस प्रकार |
N - F |
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शक्ति क्षमता (W) |
औसत शक्ति क्षमता ≥300, शिखर शक्ति क्षमता ≥1200 |
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आयाम (मिमी) |
131.5*130.5*33.5 |
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