

Ელექტრო სპეციფიკაციები |
||
Სიხშირე (მგჰც) |
820~960×2 |
|
Პოლარიზაცია |
±45° |
|
Სიმძლავრე (dBi) |
16.5 |
|
Ელექტრული დახრა (°) |
0~10 |
|
Ელექტრო დახრის კუთხის სიზუსტე (°) |
±1 |
|
Ჰორიზონტალური 3dB სხივის სიგანე (°) |
65±8 |
|
Ვერტიკალური 3 დბ-იანი სხივის სიგანე (°) |
≥12 |
|
Წინა-უკანა თანაფარდობა (dB) |
≥25 |
|
Გადაულახავი პოლარიზაციის თანაფარდობა (დბ) |
≥15 (≥10 ±60°-ის ფარგლებში) |
|
Ზედა გვერდითი ლობის ჩახშობა (dB) |
≤-14 |
|
Შესასვლელი იმპედანსი (Ω) |
50 |
|
VSWR (ძაბვის სწორი ტალღის კოეფიციენტი) |
≤1.5 |
|
Მესამე რიგის ინტერმოდულაცია (დბმ) (@2×20 ვტ) |
≤-97 |
|
Იზოლაცია (dB) |
≥25 |
|
Მაქსიმალური სიმძლავრე (W) |
200 |
|
Მიწის დამცავი |
DC გრუნტი |
|
Მექანიკური პარამეტრები |
||
Კონექტორის ტიპი |
4×7/16 |
|
Კონექტორის მდებარეობა |
Ქვედა |
|
Რადომის მასალა |
UPVC |
|
Ზომები (მმ) |
φ380×1350 |
|
Ანტენის წონა (კგ) |
≤30 |
|
Მაქსიმალური ქარის სიჩქარე (მ/წმ) |
60 |
|
Მუშაობის ტემპერატურა (℃) |
-40~+60 |
|
Ელექტრო დახრის კონტროლის მეთოდი |
Მანუალური ელექტრო დახრა |
|





