

Ელექტრო სპეციფიკაციები |
||||||||||
Სამუშაო სიხშირის დიაპაზონი (MHz) |
698-806 |
806-960 |
1710-2170 |
2300-2700 |
3300-3700 |
|||||
Პოლარიზაცია |
Ვერტიკალური |
|||||||||
Საშუალო შეძლევადობა (dBi) |
≥11.5 |
≥12 |
≥15 |
|||||||
Ჰორიზონტალური ნახევარი სიმძლავრის სხივის სიგანე (°) |
≤35 |
≤25 |
||||||||
Ვერტიკალური ნახევარ-სიმძლავრის სხივის სიგანე (°) |
≤35 |
≤25 |
||||||||
Წინა-უკანა თანაფარდობა (dB) |
≥20 |
≥23 |
||||||||
Ძაბვის სტანდარტული ტალღის შეფარდება (VSWR) |
≤1.7 |
≤1.5 |
||||||||
Საშუალო სიმძლავრის მაჩვენებელი (W) |
50 |
|||||||||
Მესამე რიგის ინტერმოდულაცია (dBm) |
≤-90 (შეყვანის სიმძლავრე: 2×43dBm) |
|||||||||
Მეხუთე რიგის ინტერმოდულაცია (dBm) |
≤-105 (შეყვანის სიმძლავრე: 2×43dBm,) |
|||||||||
Მექანიკური მუშაობა |
||||||||||
Კონექტორის მოდელი |
N-50K |
|||||||||
Ზომები (მმ) |
≤750მმ×560მმ×160მმ |
|||||||||
Გარემოს ტემპერატურა (℃) |
Სამუშაო ტემპერატურა: -40℃~+55℃; შენახვის ტემპერატურა: -55℃~+85℃ |
|||||||||





