YW-1303B მაღალი გაძლიერების მიმართული ლოგარითმული პერიოდული ანტენა ბაზის სადგურისთვის GSM 3G 4G LTE UHF სიმბლის კომუნიკაციის სისტემებში

Პროდუქტის აღწერა
Პროდუქტის დეტალური ინფორმაცია
Ელექტრონული perfomance
Პარამეტრი 1
Პარამეტრი 2
Პარამეტრი 3
Სამუშაო სიხშირის დიაპაზონი (MHz)
806-960
1710-2500
3300-3700
Პოლარიზაციის რეჟიმი
V
V
V
Სიმძლავრე (dBi)
≥8.0
≥8.5
≥8.5
Ჰორიზონტული სიბრტყის ნახევარი სიმძლავრის სხივის სიგანე (°)
90±15
75±20
75±20
Ვერტიკალური სიბრტყის ნახევარ-ძალიან სხივის სიგანე (°)
75
60
60
Წინა-უკანა თანაფარდობა (dB)
≥12
≥15
≥12
Ძებნის ძაბვის ტალღური სიმაღლე
≤1.5
≤1.5
≤1.5
Მესამე რიგის ინტერმოდულაცია (დეციბელი-მილივატი)
≤-107 (შეყვანის ძალა 2×33დეციბელი-მილივატი)
≤-107 (შეყვანის ძალა 2×33დეციბელი-მილივატი)
≤-107 (შეყვანის ძალა 2×33დეციბელი-მილივატი)
Საშუალო ძალის ტოლერანტობა (ვატი)
50
50
50
Მესამე რიგის ინტერმოდულაცია (დეციბელი-მილივატი)
≤-107 (შეყვანის ძალა 2×33დეციბელი-მილივატი)
≤-107 (შეყვანის ძალა 2×33დეციბელი-მილივატი)
≤-107 (შეყვანის ძალა 2×33დეციბელი-მილივატი)
Საშუალო ძალის ტოლერანტობა (ვატი)
50
50
50
Მექანიკური მუშაობა
Მექანიკური მუშაობა
Სპეციფიკაცია


Ანტენის სახურავის მასალა
ABS/PS
Კონექტორის ტიპი
N-ტიპის მდედარი
Კონტაქტის სიგრძე (მმ)
≥200
Ანტენის ზომა (მმ)
472*212*64
Შეფუთვის ზომა (მმ)
526*220*72
Ანტენის წონა (კგ)
0.5
Მუშაობის ტემპერატურა (℃)
-30~+45
Დანახლების ტემპერატურა (℃)
-40~+55
Პროდუქტების რეკომენდაცია
Კომპანიის პროფილი
Ხელიკრული
Q: ხართ წარმოებელი თუ საგადასავალო კომპანია? A: ჩვენ 18 წელზე მეტია ვირთმევთ ანტენების პროფესიულ წარმოებას. Q: აქვს GPS GSM კომბო ანტენას 100% კომპლექტი მარაგში? A: არა, ყველა GPS GSM კომბო ანტენა შეიკვრება თქვენი შეკვეთის მიხედვით, გარდა ამისა, ნიმუშებიც კი. Q: შემიძლია თუ არა ჩემი საკუთარი LOGO-ს ან დიზაინის გამოყენება პროდუქტზე? A: დიახ, მასობრივ წარმოებაზე შესაძლებელია ლოგოსა და დიზაინის კონფიგურირება. Q: როგორია გადახდის პირობები? A: T/T, AliPay, PayPal, Afterpay, Klarna და სხვა. Q: რომელი სერტიფიკატები გაქვთ? A: სერტიფიცირებულია FCC, CE, RoHS, ISO, მოთხოვნის შემთხვევაში. Კ: სად მდებარეობს თქვენი ქარხანა? შემიძლია თუ არა თქვენი ქარხნის ადგილზე მოსვლა? Პ: ქარხნის მისამართი: მე-2 სართული, D4-1 შენობა, ჰონგფენგის მეცნიერებისა და ტექნოლოგიის პარკი, ნანჯინგის ეკონომიკური და ტექნოლოგიური განვითარების ზონა, პროვინცია ჯიანგსუ. უბრალოდ დაგვირეკეთ, ჩვენ დროულად მოგყვებით.

Იღეთ უფასო ციფრი

Ჩვენი წარმომადგენელი სწრაფად თქვენთან დაგერთვება.
Ელ. ფოსტა
Სახელი
Კომპანიის სახელი
Მესიჯი
0/1000